Артикул: 21309

Основы высокотемпературной криоэлектроники: учебное пособие

Автор: Игумнов В. Н.

Год: 2014

Издательство: Директ-Медиа

Место издания: Москва|Берлин

ISBN: 978-5-4475-3065-5

Страниц: 237

Форматы: PDF

цена: 166 руб.

Изложены основные представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Рассмотрены эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Приведены данные об основных высокотемпературных сверхпроводниках, их критические параметры, а также сведения о технологии их изготовления. В пособие включен практикум: работы по технологии изготовления и исследования криоэлектронного устройства. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области электронной техники, а также криоэлектроники.

Предисловие
Введение
Контрольные вопросы
Глава 1. Сверхпроводимость
1.1. Нулевое сопротивление
1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
1.5. Эффекты Джозефсона
1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
Контрольные вопросы
Глава 2. Высокотемпературные сверхпроводники
2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
Контрольные вопросы
2.2. Синтез ВТСП материалов
Контрольные вопросы
2.3. Технология объемных сверхпроводников
2.3.1. Методы жидкофазного получения Bi-2212 сверхпроводников
2.3.2. Методы жидкофазного получения Y-123 сверхпроводников
Контрольные вопросы
2.4. Технология пленочных сверхпроводников
2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
2.4.3. Подложки. Буферные слои
Контрольные вопросы
2.5. Основные свойства сверхпроводников
2.5.1. Переход металл-изолятор
2.5.2. Терморезистивные характеристики
2.5.3. Критический ток
2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
Контрольные вопросы
Глава 3. Устройства криоэлектроники
3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
3.1.2. Фильтры
3.1.3. Резонаторы
3.1.4. Приборы на S – N переходах
Контрольные вопросы
3.2. Болометры
Контрольные вопросы
3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
3.3.1. Джозефсоновские криотроны
3.3.2. Цифровые устройства на Д-криотронах
3.3.3. Квантроны
3.3.4. Приемные устройства
3.3.5. Генераторы
Контрольные вопросы
3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
3.4.2. Цифровые устройства на основе СКВИДов
3.4.3. Магнитометры и градиентометры
3.4.4. Магнитометрические системы
Контрольные вопросы
3.5. Магнитные экраны
Контрольные вопросы
Глава 4. Лабораторный практикум
4.1. Синтез ВТСП материалов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.2. Получение и исследование тонкопленочных ВТСП элементов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
Задания
Контрольные вопросы
4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
Общие сведения
Задания
Контрольные вопросы
Заключение
Библиографический список
Предметный указатель

Все отзывы о книге

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите