Артикул: 21307

Физические основы микроэлектроники: практикум

Автор: Игумнов В. Н.

Год: 2014

Издательство: Директ-Медиа

Место издания: Москва|Берлин

ISBN: 978-5-4475-3301-4

Страниц: 266

Форматы: PDF

цена: 186 руб.

Содержит лабораторные и практические работы по базовому курсу «Физические основы микроэлектроники». Представлены краткие теоретические сведения, связанные с исследованием основных параметров полупроводников, контактов и МДП-структур. Приведены примеры решения задач по различным разделам дисциплины, а также задачи для самостоятельного решения. Включен раздел, посвященный методам планирования эксперимента, обработки и оформления результатов работ. Для студентов специальностей 210201.65, 210202.65, а также родственных специальностей.

Предисловие
Указания по технике безопасности
Введение
1. Обработка результатов измерений
1.1. Основные понятия и определения метрологии
1.2. Погрешности прямых измерений
1.2.1. Поправки
1.2.2. Случайные погрешности
1.2.3. Погрешность прибора
1.2.4. Погрешность округления. Полная погрешность прямого измерения
1.3. Погрешность косвенных измерений
1.3.1. Вычисление абсолютной и относительной погрешностей
1.3.2. Схемы и формулы расчета погрешностей
1.3.3. Планирование эксперимента и оценка погрешности
1.4. Приближенные вычисления
1.5. Единицы измерения физических величин
1.6. Оформление результатов измерений
Контрольные вопросы
2. Лабораторные работы
2.1. Исследование характеристических параметров полупроводников
Основные сведения из теории
Измерительная установка и методика измерений
Порядок выполнения работы
2.2. Исследование полупроводников с помощью эффекта Холла
Основные сведения из теории
Измерительная установка и методика измерений
Порядок выполнения работы
2.3. Исследование эффекта поля в полупроводниках на базе полевого транзистора
Основные сведения из теории
Порядок выполнения работы и описание установки
2.4. Определение потенциала Ферми в полупроводниках с помощью коэффициента термоЭДС
Основные сведения из теории
Описание установки
Задание и отчетность
2.5. Определение коэффициента Пельтье компенсационным методом
Основные сведения из теории
Описание установки и порядок выполнения работы
Порядок выполнения работы
2.6. Контакт металл-полупроводник
Основные сведения из теории
Теория метода и описание установки
Порядок выполнения работы
2.7. Изучение электрофизических процессов в p-n – переходе
Основные сведения из теории
Описание лабораторной установки
Порядок выполнения работы
2.8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов
Основные сведения из теории
Описание установки и анодирование
Изменение динамики роста и свойств оксидной пленки
Задание и отчетность
2.9. Исследование процессов в полупроводниковом фоторезисторе
Основные сведения из теории
Теория метода и описание установки
Порядок выполнения работы
2.10. Полупроводники в сильных электрических полях
Основные сведения из теории
Порядок выполнения работы
2.11. Свойства тонких проводящих пленок
Основные сведения из теории
Порядок выполнения работы
3.Решение задач
3.1. Структура твердых тел
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
3.2. Энергетические состояния микрочастиц
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
3.3. Электрические свойства твердых тел
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
3.4. Свойства p-n – перехода
Основные справочные формулы
Примеры решения задач
Задачи
Заключение
Библиографический список
Приложения
П.1. Фундаментальные физические постоянные
П.2. Свойства полупроводников
П.3. Некоторые единицы системы СИ
П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
П.5. Плотность некоторых твердых тел

Все отзывы о книге

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите