МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
книга

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Автор: Р. Акчурин, А. Мармалюк

Форматы: PDF

Издательство: Техносфера

Год: 2018

Место издания: Москва

ISBN: 978-5-94836-521-3

Страниц: 488

Артикул: 77426

Возрастная маркировка: 16+

Электронная книга
749

Краткая аннотация книги "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники"

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников A III B V , A II B VI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Содержание книги "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники"


Введение
Глава 1. Общая характеристика метода
Глава 2. Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Глава 3. Массоперенос
Глава 4. Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Глава 5. Механизмы и кинетика химических реакций
Глава 6. Процессы на поверхности роста
Глава 7. Оборудование МОСГЭ
Глава 8. Моделирование МОСГЭ
Глава 9. МОСГЭ полупроводников AIIIBV
Глава 10. МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Глава 11. Другие классы материалов

Все отзывы о книге МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Реакции в газовой фазеРеакции на поверхности роста(CH3)2CH2Ga +·H®(CH3)3Ga(CH3)2CH2Ga®®(CH3)CH2Ga +·СH3(CH3)CH2Ga®CH2Ga +·СH3(CH3)3Ga +·H®(CH3)2Ga + CH4(CH3)2Ga +·H®CH3Ga + CH4(CH3)2Ga +·СH3®®(CH3)CH2Ga + CH4(CH3)CH2Ga +·H®(CH3)2GaAsH2+ As(п)®·AsH + H·AsH3+ As(п)®·AsH + H2·СH3+·H(Ga)®CH4+ Ga(п)·СH3+·H(As)®CH4+ As(п)·H +·СH3(Ga)®CH4+ As(п)·H +·СH3(As)®CH4+ Ga(п)·H(Ga)+·СH3(As)®CH4+ As(п)+ Ga(п)·H(As)+·СH3(Ga)®CH4+ As(п)+ Ga(п)·H(As)+·H(Ga)®H2+ As(п)+ Ga(п)·СH3(As)+·СH3(Ga)®C2H6+ As(п)+ Ga(п)CH3Ga +·AsH®GaAs + CH4+ Ga(п)+ As(п)·AsH +·AsH®As2+ H2+ 2As(п)·СH3+·AsH®·As + CH4·As +·As«As2+ 2As(п)CH3Ga +·As®GaAs +·СH3+ Ga(п)+ As(п)Нижний индекс(п)означает принадлежность соответствующего атома к поверхностиосаждения.Особенности протекания химических процессов при МОСГЭ в сущест-венной мере зависят от технологических условий проведения процесса [2].Рассмотрим подробнее процессы пиролиза и химического взаимодействияреагентов на примере наиболее изученных систем AIII-BV.5.1. Пиролиз источниковВопросы устойчивости МОС являлись объектом исследований многих авто-ров, результаты которых подробно рассмотрены и систематизированы в об-зорных работах [3—6]. Здесь мы коснемся только основных моментов.Протекание гомогенных или гетерогенных реакций термического разло-жения МОС обычно происходит в несколько последовательных этапов, ки-нетика которых зависит как от природы источника, так и от температурыпроведения процесса эпитаксии, состава газовой фазы, давления в реактореустановки МОСГЭ. Наиболее простой механизм пиролиза основывается нагомолитическом распаде МОС с последовательным отщеплением органиче-ских радикалов. Примером может служить пиролиз ТМIn (рис. 5.1).В приведенном примере, характерном для метильных МОС, реакции пи-ролиза сопровождаются образованием свободных радикалов, которые, обла-дая ненасыщенной химической связью, легко связываются с атомами на по-верхности подложки и в значительной мере оказываются ответственными зазагрязнение выращиваемых ЭС углеродом.5.1. Пиролиз ...