Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники
книга

Пучково-плазменные технологии для создания материалов и устройств микро- и наноэлектроники

Автор: С. Удовиченко

Форматы: PDF

Издательство: Тюменский государственный университет

Год: 2016

Место издания: Тюмень

ISBN: 978-5-400-01349-2

Страниц: 228

Артикул: 75382

цена: 456
Купить и скачать Читать фрагмент

Учебное пособие дает студентам представление о современном состоянии исследований и разработок в области создания оборудования для пучково-плазменных технологий и о возможностях применения этих технологий в микро- и наноэлектронике. Особое внимание уделено современному высокотехнологичному оборудованию – НТК «НаноФаб-100», приобретенному Тюменским государственным университетом в рамках реализации ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2011 гг.».
Пособие имеет целью активизацию у студентов практических навыков по применению пучково-плазменных технологий в микро- и наноэлектронике в соответствии с требованиями ФГОС ВО к содержанию курсов «Физические основы микро- и наносистемной техники», «Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологий», «Вакуумная техника и технологии», «Методы анализа и контроля наноструктурированных материалов и систем».
Предназначено для студентов направления 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

ПРЕДИСЛОВИЕ
1. СОВРЕМЕННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
1.1. Кластерное нанотехнологическое оборудование
1.2. Базовые принципы кластерного оборудования
1.3. Применение кластерного оборудования
1.4. Аналитическое оборудование
2. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС «НАНОФАБ-100»
2.1. Технологические модули
2.2. Вспомогательные модули
2.3. Контрольно-измерительная аппаратура
3. ТЕХНОЛОГИЯ МАГНЕТРОННОГО ОСАЖДЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОНИКИ
3.1. Применение технологии магнетронного осаждения покрытий в электронном производстве
3.2. Преимущества магнетронного осаждения пленок
3.3. Моделирование процесса реактивного нанесения покрытий
3.4. Контроль условий получения стехиометрического состава пленок по спектральным характеристикам плазмы
3.5. Получение пленок требуемого состава с помощью вольт-амперных характеристик разряда
3.6. Условия самоподдержания сильноточного разряда в магнетроне
3.7. Влияние потока кластеров металла на условия горения магнетронного разряда
4. ПРИМЕНЕНИЕ РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА (РЭМ) ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ МАТЕРИАЛОВ И ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ
4.1. Устройство и принцип работы РЭМ
4.2. Формирование изображения в РЭМ
4.3. Детекторы вторичных сигналов
4.4. Рентгеноспектральный микроанализ
4.5. Применение РЭМ для исследования структуры материалов электроники
4.6. Электронно-лучевая литография
5. ИОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ
5.1. Основы ионной литографии
5.2. Технология ионной литографии
6. ВТОРИЧНО-ИОННАЯ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ (ВИМС)
6.1. Вторично-ионная эмиссия
6.2. Принцип работы ВИМС
6.3. Количественный анализ
6.4. Глубинные профили концентрации элементов
7. ТЕХНОЛОГИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
7.1. Механизм плазмохимического травления материалов
7.2. Выбор и оптимизация технологических режимов
7.3. Проблемы создания элементов топологии интегральных схем
8. ТЕХНОЛОГИЯ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ
8.1. Особенности и возможности технологии ионной имплантации
8.2. Модуль имплантации — альтернатива модулю ФИП
8.3. Ионное легирование полупроводников
8.4. Проблемы технологии ионной имплантации при создании электронных приборов и ИС
9. СОЗДАНИЕ НАНОМАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВ ЭЛЕКТРОНИКИ
9.1. Переход от классической КМОП-технологии к нанотехнологиям
9.2. Проблемы оптоэлектроники при создании излучающих материалов
9.3. Разработка и исследование материала, обладающего высокой электролюминесценцией

Все отзывы о книге

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Рецензии на книгу

Чтобы писать рецензии и получать вознаграждения за рекомендации книг, станьте экспертом