Технологическое оборудование для микроэлектроники
книга

Технологическое оборудование для микроэлектроники

Автор: Виктор Камлюк, Дмитрий Камлюк

Форматы: PDF

Издательство: РИПО

Год: 2014

Место издания: Минск

ISBN: 978-985-503-369-2

Страниц: 391

Артикул: 22969

Возрастная маркировка: 12+

Электронная книга
391

Краткая аннотация книги "Технологическое оборудование для микроэлектроники"

Представлено оборудование полупроводникового производства, в том числе и появившееся новое. Описаны принципы действия, устройство оборудования и его отдельных узлов. Исходя из назначения, приведены основные характеристики и требования к оборудованию. Рассмотрены вопросы наладки, регулировки и ремонта технологического оборудования. Для учащихся учреждений профессионально-технического и среднего специального образования.

Содержание книги "Технологическое оборудование для микроэлектроники"


ПРЕДИСЛОВИЕ
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
1.1. Технологическая схема производства ИМС
1.2. Процессы начальной обработки пластин
1.3. Формирование слоев с заданными свойствами
1.4. Процессы формирования рисунка методом литографии
1.5. Сборка и монтаж ИМС
1.6. Основные характеристики подложек
1.7. Конструктивно-технологические особенности биполярных ИМС
1.8. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры ИМС
1.9. Основные этапы технологии биполярных ИМС
1.10. Основные конструктивно-технологические варианты МДП ИМС
1.11. Влияние физико-технологических факторов на параметры МОП ИМС
1.12. Базовый технологический процесс получения МОП ИМС
1.13. Технология МОП ИМС с кремниевым затвором
ГЛАВА 2. СТРУКТУРА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
2.1. Требования к оборудованию
2.2. Функциональные подсистемы технологического оборудования
2.3. Основы технологии ремонта технологического оборудования
ГЛАВА 3. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ СОЗДАНИЯ И КОНТРОЛЯ ЧИСТЫХ СРЕД
3.1. Основные технологические требования
3.2. Пылезащитное оборудование
3.3. Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
3.4. Установки для очистки газов
3.5. Установки для очистки воды
ГЛАВА 4. ВИДЫ НАГРЕВА ИЗДЕЛИЙ И ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ НАГРЕВА
4.1. Общие сведения
4.2. Резистивный нагрев
4.3. Индукционный нагрев
4.4. Электронно-лучевой нагрев
4.5. Лучистый нагрев
4.6. Ионно-лучевой нагрев
4.7. Лазерный нагрев
4.8. Средства контроля температуры в термическом оборудовании
ГЛАВА 5. ВАКУУМНЫЕ СИСТЕМЫ
5.1. Общие сведения о вакуумной технике
5.2. Насосы предварительного вакуума (форвакуумные)
5.3. Высоковакуумные насосы
5.4. Средства измерения вакуума
ГЛАВА 6. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН
6.1. Оборудование для кристаллографической ориентации слитков
6.2. Резка слитков на пластины
6.3. Оборудование для шлифовки и полировки пластин
6.4. Установка контроля отклонений от плоскостности полупроводниковых пластин
ГЛАВА 7. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ
7.1. Способы интенсификации процесса очистки
7.2. Автомат гидромеханической отмывки
7.3. Комплекс химической обработки КХО. ППЭ-150-001 «КУБОК»
ГЛАВА 8. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
8.1. Оборудование для наращивания эпитаксиальных слоев из газовой фазы
8.2. Оборудование для диффузии и окисления
8.3. Автоматические системы регулирования и поддержания температуры
8.4. Система газораспределения диффузионной установки
8.5. Системы управления технологическим оборудованием
8.6. Газовые системы
8.7. Оборудование для получения диэлектрических слоев при пониженном давлении с плазменной активацией
ГЛАВА 9. ОБОРУДОВАНИЕ ИОННО-ВАКУУМНОй ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН
9.1. Общие сведения об оборудовании для ионной имплантации
9.2. Оборудование для ионной имплантации
9.3. Оборудование для обработки пластин в плазме
ГЛАВА 10. УСТАНОВКИ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ
10.1. Общие сведения об оборудовании для нанесения тонких пленок
10.2. Устройство и порядок работы отдельных узлов
10.3. Наладка вакуумной системы
ГЛАВА 11. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ СОВМЕЩЕНИЯ И ЭКСПОНИРОВАНИЯ
11.1. Общие сведения
11.2. Установка для совмещения и контактного экспонирования ЭМ-576А
11.3. Установка для совмещения и проекционного экспонирования ЭМ-584А
11.4. Установка для совмещения и проекционного экспонирования ЭМ-5084АМ
ГЛАВА 12. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН, НАНЕСЕНИЯ И ПРОЯВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА
12.1. Линия химико-технологической обработки «Лада-125»
12.2. Линия фотолитографии «Лада-150А»
12.3. Модульно-кластерный комплекс «Победа-2000-КФЛ»
ГЛАВА 13. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ МЕХАНИЧЕСКОй ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН С ГОТОВЫМИ СТРУКТУРАМИ
13.1. Установка механического утонения кремниевых пластин ЭМ-2050
13.2. Оборудование для разделения пластин на кристаллы
ГЛАВА 14. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ
14.1. Автомат присоединения кристаллов ЭМ-4085
14.2. Автомат присоединения кристаллов ЭМ-4485
ГЛАВА 15. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ПРИСОЕДИНЕНИЯ ПРОВОЛОЧНЫХ ВЫВОДОВ К КОНТАКТНЫМ ПЛОЩАДКАМ КРИСТАЛЛА И ВЫВОДАМ КОРПУСА
15.1. Методы микросварки
15.2. Автомат ультразвуковой микросварки ЭМ-4020Б
15.3. Автомат прецизионного присоединения проволочных выводов ЭМ-4260
ГЛАВА 16. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
16.1. Герметизация прессованием пластмасс
16.2. Комплекс для герметизации микросхем
ГЛАВА 17. КОНТРОЛЬНО-ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
17.1. Зондовая установка ЭМ-6010 (ЭМ-6010-1, ЭМ-6020, ЭМ-6020-1)
17.2. Контактирующее устройство зондовых установок ЭМ-6010
ГЛАВА 18. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИСПЫТАНИй
18.1. Виды испытаний
18.2. Камера тепла КТ-0,4-350
ГЛАВА 19. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫХ ОПЕРАЦИй
19.1. Установка офсетного маркирования интегральных микросхем
19.2. Устройство и порядок работы отдельных узлов
ГЛАВА 20. ЭКСПЛУАТАЦИЯ, ПОДДЕРЖАНИЕ В РАБОТОСПОСОБНОМ СОСТОЯНИИ И РЕМОНТ СПЕЦИАЛЬНОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ
20.1. Организация и планирование ремонта оборудования
20.2. Система планово-предупредительного ремонта
20.3. Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования
20.4. Организация ремонтного обслуживания на участках, в цехах и на предприятии
ЛИТЕРАТУРА

Все отзывы о книге Технологическое оборудование для микроэлектроники

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Технологическое оборудование для микроэлектроники

131.3. Формирование слоев с заданными свойствами123 45678910111213Впуск азота для продувки кожухаH2/N2 O2/HClУправление и выравнивание давленияРис. 1.5. Схема установки для окисления пластин: 1 – предохранительный клапан; 2 – камера реактора; 3 – охлаждающая рубашка; 4 – трехзонная печь; 5 – кварцевая труба; 6 – инжектор; 7 – отражатель инжектора; 8 – лодочка; 9 – пластина; 10 – нагревательный элемент; 11 – тепловая пробка; 12 – загрузочный люк; 13 – торцевая крышкаСледует отметить большую длительность процесса окисле-ния. Это связано с тем, что молекулам кислорода или воды, про-никающим к поверхности кремния, препятствует появившийся и все увеличивающийся в результате реакции слой оксида. Поэто-му для получения слоев заданной толщины требуется значитель-ное время.Высокие температуры процессов окисления вызывают пере-распределение ионов примесей, что вредно влияет на качество структур ИМС. Для снижения температуры окисления увеличи-вают давление, повышение которого на 1,01•105 Па позволяет сни-зить температуру на 150–250 °С. Кроме того, высокое давление дает возможность сократить время окисления.Эпитаксия – это процесс ориентированного выращивания монокристаллического материала на подложке с той же ориента-цией кристалла.Для того чтобы осаждаемый монокристаллический слой на атомном уровне соединился с поверхностью пластины и факти-чески стал ее идентичным продолжением, необходимо, чтобы по-верхность пластины обладала достаточным количеством затравоч-ных центров, способствующих зарождению монокристалли че ско-го кремния. Эти центры создаются предварительной обра боткой