Шлакощелочной резистивный материал
книга

Шлакощелочной резистивный материал

Автор: Игорь Автономов, Валерий Горелов, Геннадий Пугачев

Форматы: PDF

Издательство: Директ-Медиа

Год: 2016

Место издания: Москва|Берлин

ISBN: 978-5-4475-6381-3

Страниц: 110

Артикул: 41847

Печатная книга
649
Ожидаемая дата отгрузки печатного
экземпляра: 12.04.2024
Электронная книга
154

Краткая аннотация книги "Шлакощелочной резистивный материал"

Работа посвящена исследованию нового резистивного композиционного материала – шлакощелочного. Рассмотрены актуальные проблемы разработки резистивных композиционных материалов для нужд промышленного, гражданского и сельскохозяйственного строительства. Обобщены методы экспериментальных исследований резистивных материалов и приведены их основные электрофизические и физико-механические характеристики. Рассмотрены способы повышения энергетических параметров изделий и резистивных композиционных материалов. Приведены сравнительные характеристики резистивных материалов на основе различных связок. Даны рекомендации по составам и применению шлакощелочного материала. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки электротехнических материалов и конструкций, а также в качестве учебного пособия для студентов электротехнических и строительных специальностей.

Содержание книги "Шлакощелочной резистивный материал"


ВВЕДЕНИЕ
1. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О РАЗРАБОТКЕ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОГО БЕТОНА
1.1. Электрофизические свойства бетона и создание нового электропроводного материала - бетэла
1.2. Основы технологии бетэла
1.3. Свойства бетэла
2. СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ И ОПТИМИЗАЦИЯ СОСТАВОВ РЕЗИСТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ
2.1. Общие закономерности рассеяния электрической энергии в композиционных резисторах. Факторы, определяющие качество резистивного композиционного материала
2.1.1. Электрическое перекрытие по поверхности резистивных элементов
2.1.2. Старение резистивного материала
2.2. Связь энергетических характеристик резистивного композиционного материала с его структурой и составом
3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ СИЛИКАТА НАТРИЯ
3.1. Жидкое стекло
3.2. Композиционные резистивные материалы на основе жидкого стекла с добавкой отвердителя - кремнефтористого натрия
3.3. Резистивные композиции на жидком стекле без отвердителя
4. ШЛАКОЩЕЛОЧНОЕ ВЯЖУЩЕЕ - НОВЫЙ ПЕРСПЕКТИВНЫЙ ВИД СВЯЗУЮЩЕГО
5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ШЛАКОЩЕЛОЧНОГО КАМНЯ
5.1. Зависимость электрофизических характеристик шлакощелочного камня от пористости и содержания в нем свободной щелочи
5.2. Влияние состава шлакощелочного бетона на его диэлектрические свойства
5.2.1. Влияние влажности шлакощелочной бетонной смеси на свойства прессованного бетона
5.2.2. Зависимость диэлектрических свойств шлакощелочного бетона от вида щелочного компонента
5.2.3. Влияние кварцевого песка на электрические свойства шлакощелочного мелкозернистого бетона
5.2.4. Влияние добавки глины на диэлектрические и физико-механические свойства мелкозернистого шлакощелочного бетона
5.3. Зависимость электрических свойств шлакощелочного бетона от способов и режимов твердения, вторичной термообработки и хранения образцов
5.4. Рекомендации по улучшению электрофизических свойств шлакощелочных бетонов
6. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ШЛАКОЩЕЛОЧНОЙ СВЯЗКЕ
6.1. Исследование способов приготовления сухой резистивной композиции
6.2. Исследование процесса прессования шлакощелочной резистивной композиции
7. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЧИН ОТКАЗА РЕЗИСТОРОВ
7.1. Влияние температурно-влажностных условий на старение композиционных резисторов
7.2. Старение резистивных элементов в различных условиях электрического нагружения
7.3. Влияние окислительных процессов на старение резистивных элементов
7.4. Влияние трещинообразования на электрическое старение резистивных элементов
8. ОПТИМИЗАЦИЯ СОСТАВОВ РЕЗИСТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ШЛАКОЩЕЛОЧНОМ ВЯЖУЩЕМ
8.1. Влияние дисперсных добавок на свойства шлакощелочного резистивного материала
8.2. Роль заполнителя в формировании структуры резистивных композиционных материалов
8.3. Исследования структуры и фазового состава резистивных композиционных материалов
8.4. Рекомендации по улучшению составов и технологии шлакощелочных резистивных композиционных материалов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Все отзывы о книге Шлакощелочной резистивный материал

Чтобы оставить отзыв, зарегистрируйтесь или войдите

Отрывок из книги Шлакощелочной резистивный материал

большого числа двухкомпонентных гетерогенных проводящих систем расчетные зависимости достаточно близки к экспериментальным. Однако для более сложных систем, например, электропроводного бетона, они отличаются от теоретических, что позволяет получить лишь удовлет­ворительные качественные зависимости электрической проводимости от концентрации и типа проводникового компонента. В сложных реэистивных композициях контактные проводимости не могут быть измерены, но предположение о существовании их вполне за­кономерно. Предполагается не только непосредственное контактирова­ние частиц друг с другом, но и существование непрерывного ряда зна­чений контактной проводимости для более высоких значений удельного сопротивле ния. Электрическая проводимость сложных гетерогенных систем может рассматриваться с использованием геометрического, физического или вероятностного подходов. Физический подход наиболее полно учитыва­ет свойства исходных компонентов, а также микропроцессы, происхо­дящие в контактирующих частицах систем металл - диэлектрик - металл (МДМ) или полупроводник - диэлектрик - полупроводник ( П Д П ) . Мы р а с ­пространили теорию о проводимости контактирующих металлических по­верхностей на случай инжектирования электронов иэ одного полупро­водника в другой через тонкую диэлектрическую прослойку [ 7 ] . Туннелирование электронов - один иэ простейших примеров кван-TOFO-механического явления. Прохождение туннельного тока в опреде­ляющей степени зависит от формы потенциального барьера на границе раздела систем МДМ и ПДП. Форма барьера анализируется при следую­щих предположениях [ 7 , 8 ] : - поверхностными состояниями на границе раздела можно п р е н е ­бречь ; - с обеих сторон диэлектрика расположено по одному равноцен­ному инжектирующему контакту; - поверхности на границе раздела идеально резкие. С учетом сказанного для коэффициента прозрачности прямоуголь­ного потенциального барьера системы контактирующих через диэлектри­ческую прослойку полупроводниковых частиц пол...