0
Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур
Информация о книге:

Издательство: МИФИ

Год: 2012

ISBN: 978-5-7262-1730-7

Кол-во страниц: 80

Формат: pdf

Моделирование технологии и параметров кремниевых наноразмерных транзисторных структур

Воронов Ю. А. , Касков С. Ю. , Мочалкина О. Р.

(0)

Порекомендовать в соцсетях

Аннотация
Составлено в соответствии с Государственным образовательным стандартом по дисциплине «Наноэлектронная технология». Изложены основные темы учебного материала, входящего в лекционный курс. А именно: рассмотрены вопросы математического моделирования процессов ионного внедрения примесей в кремний с использованием как «ручного» так и программного моделирования с помощью универсальной программы технологического моделирования T-CAD фирмы Synopsys. Представлены основные принципы работы с программой, включая списки команд, обеспечивающих моделирование технологии, электрофизических и электрических характеристик классического МДП-транзистора. Рассмотрены результаты моделирования наноразмерных МДП-транзисторов. Методика изложения материала позволяет студентам узнать теоретические вопросы и практически освоить основы программы T-CAD. Это первое учебное пособие по программе T-CAD на русском языке. Предназначено для студентов направлений подготовки по электронике.
Оглавление
Нет ни одного отзыва
Нет ни одного отзыва