0
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах
Информация о книге:

Издательство: НГТУ

Год: 2011

ISBN: 978-5-7782-1618-1

Кол-во страниц: 79

Формат: pdf

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах, Ч. 4. Учебное пособие

Данилов В. С. , Раков Ю. Н.

(0)

Порекомендовать в соцсетях

Аннотация
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
Оглавление
Нет ни одного отзыва
Нет ни одного отзыва