0
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Информация о книге:

Издательство: БИНОМ. Лаборатория знаний

Год: 2014

ISBN: 978-5-9963-2527-6

Кол-во страниц: 307

Формат: pdf

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Таперо К. И. , Улимов В. Н. , Членов А. М.

(0)
Порекомендовать в соцсетях

В наличии
Аннотация
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Оглавление
Нет ни одного отзыва
Нет ни одного отзыва